Communication Dans Un Congrès
Année : 2008
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https://hal.science/hal-00360404
Soumis le : mercredi 11 février 2009-10:37:46
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Citer
Nicolas Wichmann, A. Shchepetov, I. Duszynski, Yannick Roelens, X. Wallart, et al.. Fabrication technology and device performance of ultra-short 30-nm-gate pseudomorphic In0.52Al0.48As/In0.75Ga0.25As HEMTs. IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08, 2008, France. pp.1-4, ⟨10.1109/ICIPRM.2008.4702912⟩. ⟨hal-00360404⟩
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