Band-edge photoluminescence and reflectivity of nonpolar (11-20) and semipolar (11-22) GaN formed by epitaxial lateral overgrowth on sapphire

T. Gühne; Z. Bougrioua; S. Laügt; M. Nemoz; P. Vennegues; B. Vinter; M. Leroux

doi:10.1103/PhysRevB.77.075308

Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 2008

Band-edge photoluminescence and reflectivity of nonpolar (11-20) and semipolar (11-22) GaN formed by epitaxial lateral overgrowth on sapphire

, (1) , , , , ,

1

T. Gühne

Fonction : Auteur

Z. Bougrioua

Fonction : Auteur
PersonId : 180745
IdHAL : zahia-bougrioua
ORCID : 0000-0003-3579-7091
IdRef : 113374135

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

S. Laügt

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M. Nemoz

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P. Vennegues

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B. Vinter

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M. Leroux

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https://hal.science/hal-00356987

Soumis le : jeudi 29 janvier 2009-10:42:35

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00356987 , version 1 (29-01-2009)

Identifiants

HAL Id : hal-00356987 , version 1
DOI : 10.1103/PhysRevB.77.075308

Citer

T. Gühne, Z. Bougrioua, S. Laügt, M. Nemoz, P. Vennegues, et al.. Band-edge photoluminescence and reflectivity of nonpolar (11-20) and semipolar (11-22) GaN formed by epitaxial lateral overgrowth on sapphire. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2008, 77, pp.075308-1-10. ⟨10.1103/PhysRevB.77.075308⟩. ⟨hal-00356987⟩

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