Real-time in-situ flux monitoring by wavelength-modulated atomic absorption spectroscopy in molecular beam epitaxy : application to Ga flux measurement

D. Vignaud; F. Mollot

doi:10.1016/j.jcrysgro.2006.09.006

Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2007

Real-time in-situ flux monitoring by wavelength-modulated atomic absorption spectroscopy in molecular beam epitaxy : application to Ga flux measurement

(1) ,

1

D. Vignaud

Fonction : Auteur
PersonId : 738856
IdHAL : dominique-vignaud
IdRef : 128829885

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

F. Mollot

Fonction : Auteur
PersonId : 754560
IdHAL : francis-mollot

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https://hal.science/hal-00285632

Soumis le : vendredi 6 juin 2008-08:45:26

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00285632 , version 1 (06-06-2008)

Identifiants

HAL Id : hal-00285632 , version 1
DOI : 10.1016/j.jcrysgro.2006.09.006

Citer

D. Vignaud, F. Mollot. Real-time in-situ flux monitoring by wavelength-modulated atomic absorption spectroscopy in molecular beam epitaxy : application to Ga flux measurement. Journal of Crystal Growth, 2007, 301-302, pp.79-83. ⟨10.1016/j.jcrysgro.2006.09.006⟩. ⟨hal-00285632⟩

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