Adsorption and electronic excitation of biphenyl on Si(100): a theoretical STM analysis

M. Dubois; C. Delerue; A. Rubio

doi:10.1103/PhysRevB.75.041302

Article Dans Une Revue Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015) Année : 2007

Adsorption and electronic excitation of biphenyl on Si(100): a theoretical STM analysis

, (1) ,

1

M. Dubois

Fonction : Auteur

C. Delerue

Fonction : Auteur
PersonId : 175246
IdHAL : christophe-delerue
ORCID : 0000-0002-0427-3001
IdRef : 035741163

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

CV

A. Rubio

Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00283120

Soumis le : jeudi 29 mai 2008-10:27:24

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00283120 , version 1 (29-05-2008)

Identifiants

HAL Id : hal-00283120 , version 1
DOI : 10.1103/PhysRevB.75.041302

Citer

M. Dubois, C. Delerue, A. Rubio. Adsorption and electronic excitation of biphenyl on Si(100): a theoretical STM analysis. Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015), 2007, 75, pp.041302-1-4. ⟨10.1103/PhysRevB.75.041302⟩. ⟨hal-00283120⟩

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