Materials science issues for the fabrication of nanocrystal memory devices by ultra low energy ion implantation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Defect Diffus. Forum Année : 2006

Materials science issues for the fabrication of nanocrystal memory devices by ultra low energy ion implantation

Alain Claverie
Caroline Bonafos
Gérard Benassayag
CV
Sylvie Schamm-Chardon
CV
Nikolay Cherkashin
CV
Vincent Paillard
CV
P. Dimitrakis
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E. Kapetanakis
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D. Tsoukalas
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T. Müller
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B. Schmidt
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K.H. Heinig
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M. Perego
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M. Fanciulli
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D. Mathiot
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Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes
Marzia Carrada
Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes
P. Normand
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Soumis le : mardi 15 janvier 2008-15:41:33

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:49

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00204809 , version 1 (15-01-2008)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00204809 , version 1

Citer

Alain Claverie, Caroline Bonafos, Gérard Benassayag, Sylvie Schamm-Chardon, Nikolay Cherkashin, et al.. Materials science issues for the fabrication of nanocrystal memory devices by ultra low energy ion implantation. Defect Diffus. Forum, 2006, 258-260, pp.531-541. ⟨hal-00204809⟩

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