Bipolar Transistor's Intrinsic and Extrinsic Capacitance Determination

Type de document :
Communication dans un congrès
SISPAD 2001, International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 2001, Greece. NC, pp.1, 2001
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Soumis le : vendredi 11 janvier 2008 - 14:58:54
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Citation

Bertrand Ardouin, Thomas Zimmer, Hassene Mnif, Pascal Fouillat, Dominique Berger, et al.. Bipolar Transistor's Intrinsic and Extrinsic Capacitance Determination. SISPAD 2001, International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, 2001, Greece. NC, pp.1, 2001. 〈hal-00203971〉

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