Article Dans Une Revue
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
Année : 2006
Nathalie Labat : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00185721
Soumis le : mardi 6 novembre 2007-19:41:40
Dernière modification le : lundi 11 septembre 2023-16:36:51
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00185721 , version 1
Citer
N. Malbert N. Labat N. Ismaïl A. Touboul, J.L. Muraro. Safe operating area of GaAs MESFET for non linear applications. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 2006, 6 (2), pp.221-227. ⟨hal-00185721⟩
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