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Conference papers

Simulation d upsets dans une mémoire SRAM CMOS utilisant des capteurs de courant intégrés

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https://hal.archives-ouvertes.fr/hal-00185417
Contributor : Ims Import <>
Submitted on : Tuesday, November 6, 2007 - 9:05:30 AM
Last modification on : Thursday, January 11, 2018 - 6:21:08 AM

Identifiers

  • HAL Id : hal-00185417, version 1

Citation

T. Calin, Hervé Lapuyade, Michael Nicolaidis, R. Velazco, Pascal Fouillat. Simulation d upsets dans une mémoire SRAM CMOS utilisant des capteurs de courant intégrés. Journées Nationales d Etudes de l association RADECS, 1997, France. pp.1. ⟨hal-00185417⟩

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