Simulation d upsets dans une mémoire SRAM CMOS utilisant des capteurs de courant intégrés

Type de document :
Communication dans un congrès
Journées Nationales d Etudes de l association RADECS, 1997, France. NC, pp.1, 1997
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Soumis le : mardi 6 novembre 2007 - 09:05:30
Dernière modification le : jeudi 11 janvier 2018 - 06:21:08

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  • HAL Id : hal-00185417, version 1

Citation

T. Calin, Hervé Lapuyade, Michael Nicolaidis, R. Velazco, Pascal Fouillat. Simulation d upsets dans une mémoire SRAM CMOS utilisant des capteurs de courant intégrés. Journées Nationales d Etudes de l association RADECS, 1997, France. NC, pp.1, 1997. 〈hal-00185417〉

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