Low frequency drain noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate

Nathalie Malbert (1) , Nathalie Labat (1) , Arnaud Curutchet (1) , Andre Touboul (1) , Christophe Gaquière , A. Minko

1 IMS - Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Arnaud Curutchet, Andre Touboul, Christophe Gaquière, et al.. Low frequency drain noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate. Fluctuation and Noise Conference, 2003, United States. pp.342-349. ⟨hal-00183510⟩