Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2001
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https://hal.science/hal-00183494
Soumis le : mardi 30 octobre 2007-08:52:45
Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00183494 , version 1
Citer
Benoit Lambert, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Frédéric Verdier, Andre Touboul. Empirical modeling of LF gate noise in GaAs DCFET in impact ionization regime. IEEE Electron Device Letters, 2001, 1, pp.1. ⟨hal-00183494⟩
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