Low frequency drain noise comparison of AlGaN/GaN HEMT's grown on silicon, SiC and sapphire substrates

Arnaud Curutchet (1) , Nathalie Malbert (1) , Nathalie Labat (1) , Andre Touboul (1) , Christophe Gaquière , H. Lareche , A. Minko , Michael Uren

1 IMS - Laboratoire de l'intégration, du matériau au système

Domaines: Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Arnaud Curutchet, Nathalie Malbert, Nathalie Labat, Andre Touboul, Christophe Gaquière, et al.. Low frequency drain noise comparison of AlGaN/GaN HEMT's grown on silicon, SiC and sapphire substrates. Microelectronics Reliability, 2003, 43, pp.1. ⟨hal-00183492⟩