High current effects in InP/GaAsSb/InP DHBT: Physical mechanisms and parasitic effects - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2003

High current effects in InP/GaAsSb/InP DHBT: Physical mechanisms and parasitic effects

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Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00183091

Soumis le : lundi 29 octobre 2007-15:31:46

Dernière modification le : mercredi 2 août 2023-16:40:25

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00183091 , version 1 (29-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00183091 , version 1

Citer

Mohamed Belhaj, Cristell Maneux, Nathalie Labat, Andre Touboul, Philippe Bove, et al.. High current effects in InP/GaAsSb/InP DHBT: Physical mechanisms and parasitic effects. Microelectronics Reliability, 2003, 43, pp.1. ⟨hal-00183091⟩

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