A transit time model for thin SOI Si/SiGe HBT - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00181979 , version 1 (24-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00181979 , version 1

Citer

Sébastien Fregonese, Gregory Avenier, Cristell Maneux, A. Chantre, Thomas Zimmer. A transit time model for thin SOI Si/SiGe HBT. BCTM 2005, Bipolar/BiCMOS circuits and technology meeting, 2005, États-Unis. pp.1. ⟨hal-00181979⟩
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