Ageing simulation of MOSFET circuit using a VHDL-AMS behavioural modelling: An experimental case study - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2003

Ageing simulation of MOSFET circuit using a VHDL-AMS behavioural modelling: An experimental case study

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00181803 , version 1 (24-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00181803 , version 1

Citer

Benoit Mongellaz, François Marc, Yves Danto. Ageing simulation of MOSFET circuit using a VHDL-AMS behavioural modelling: An experimental case study. Microelectronics Reliability, 2003, 43, pp.1. ⟨hal-00181803⟩
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