Low temperature homoepitaxy of GaN by LP-MOVPE using Dimethylhydrazine and Nitrogen - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Low temperature homoepitaxy of GaN by LP-MOVPE using Dimethylhydrazine and Nitrogen

C. Sartel
  • Fonction : Auteur
S. Gautier
  • Fonction : Auteur
S. Oul Saad Hamadi
  • Fonction : Auteur
J. Martin
  • Fonction : Auteur
A. Sirenko
  • Fonction : Auteur
A. Ougazzaden
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00181740 , version 1 (24-10-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00181740 , version 1

Citer

C. Sartel, S. Gautier, S. Oul Saad Hamadi, Nabila Maloufi, J. Martin, et al.. Low temperature homoepitaxy of GaN by LP-MOVPE using Dimethylhydrazine and Nitrogen. EMRS spring meeting Nice, France, 2006, France. ⟨hal-00181740⟩

Collections

CNRS UNIV-LORRAINE
27 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More