Low temperature homoepitaxy of GaN by LP-MOVPE using Dimethylhydrazine and Nitrogen

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Superlattices and Microstructures, Elsevier, 2006, 40, pp.476-482
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Contributeur : Jean Paul Salvestrini <>
Soumis le : mercredi 24 octobre 2007 - 11:10:31
Dernière modification le : jeudi 5 avril 2018 - 12:30:20

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  • HAL Id : hal-00181631, version 1

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C. Sartel, S. Gautier, S. Ould Saad Hamady, N. Maloufi, J. Martin, et al.. Low temperature homoepitaxy of GaN by LP-MOVPE using Dimethylhydrazine and Nitrogen. Superlattices and Microstructures, Elsevier, 2006, 40, pp.476-482. 〈hal-00181631〉

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