Silicon Carbide Growth: C/Si Ratio Evaluation and Modeling

M. Pons (1) , S. Nishizawa , P. Wellmann , E. Blanquet (1) , D. Chaussende (2) , R. Madar (2) , J.M. Dedulle (2)

1 SIMaP - Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés
2 LMGP - Laboratoire des matériaux et du génie physique

Domaines: Matériaux; Génie des procédés; Matériaux

M. Pons, S. Nishizawa, P. Wellmann, E. Blanquet, D. Chaussende, et al.. Silicon Carbide Growth: C/Si Ratio Evaluation and Modeling. Internatinal Conference on Silicon Carbide and Related Materials, ICSCRM2007, 2007, Kyoto, Japan. pp.83-88. ⟨hal-00173481⟩