New Approach of Nano Selective Area Growth (NSAG) for a precise control of GaN nanodots grown by MOVPE - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

New Approach of Nano Selective Area Growth (NSAG) for a precise control of GaN nanodots grown by MOVPE

J. Martin
  • Fonction : Auteur
L. Le Gratiet
  • Fonction : Auteur
S. Gautier
  • Fonction : Auteur
C. Sartel
  • Fonction : Auteur
A. Martinez
  • Fonction : Auteur
A. Ramdane
  • Fonction : Auteur
A. Ougazzaden
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00169871 , version 1 (05-09-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00169871 , version 1

Citer

J. Martin, L. Le Gratiet, S. Gautier, C. Sartel, A. Martinez, et al.. New Approach of Nano Selective Area Growth (NSAG) for a precise control of GaN nanodots grown by MOVPE. EMRS spring meeting Nice, France, 2006, France. ⟨hal-00169871⟩

Collections

CNRS UNIV-LORRAINE
82 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More