BGaN materials on GaN/Sapphire substrate by MOVPE using N2 carrier gas - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Crystal Growth Année : 2007

BGaN materials on GaN/Sapphire substrate by MOVPE using N2 carrier gas

A. Ougazzaden
S. Gautier
  • Fonction : Auteur
C. Sartel
  • Fonction : Auteur
Nabila Maloufi
  • Fonction : Auteur
Laboratoire d'étude des textures et application aux matériaux
J. Martin
  • Fonction : Auteur
F. Jomard
  • Fonction : Auteur

Domaines

Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci] Mécanique des matériaux [physics.class-ph] Mécanique des matériaux [physics.class-ph] Cristallographie

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https://hal.science/hal-00168899

Soumis le : jeudi 30 août 2007-16:38:24

Dernière modification le : jeudi 19 octobre 2023-15:45:07

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00168899 , version 1 (30-08-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00168899 , version 1

Citer

A. Ougazzaden, S. Gautier, C. Sartel, Nabila Maloufi, J. Martin, et al.. BGaN materials on GaN/Sapphire substrate by MOVPE using N2 carrier gas. Journal of Crystal Growth, 2007, 298, pp.316-319. ⟨hal-00168899⟩

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