Communication Dans Un Congrès
Année : 2003
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https://hal.science/hal-00162738
Soumis le : lundi 16 juillet 2007-09:58:24
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00162738 , version 1
Citer
N. Malbert, N. Labat, A. Curutchet, A. Touboul, Christophe Gaquière, et al.. Low-frequency drain noise in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate. 2003, pp.342-349. ⟨hal-00162738⟩
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