Deep traps related effects in GaN MESFET's grown on saphire substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2000

Deep traps related effects in GaN MESFET's grown on saphire substrate

A. Chini
  • Fonction : Auteur
G. Meneghesso
  • Fonction : Auteur
E. Zanoni
  • Fonction : Auteur
M. Manfredi
  • Fonction : Auteur
M. Pavesi
  • Fonction : Auteur
B. Boudart
Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

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https://hal.science/hal-00159037

Soumis le : lundi 2 juillet 2007-11:02:40

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00159037 , version 1 (02-07-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00159037 , version 1

Citer

A. Chini, G. Meneghesso, E. Zanoni, M. Manfredi, M. Pavesi, et al.. Deep traps related effects in GaN MESFET's grown on saphire substrate. 10th European Workshop on Heterostructure Technology, HeTech 2000, 2000, Ulm, Germany. ⟨hal-00159037⟩

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