Hot carrier aging degradation phenomena in GaN based MESFETs

F. Rampazzo; G. Pierobon; D. Pacetta; Christophe Gaquière; D. Theron; B. Boudart; G. Meneghesso; E. Zanoni

Article Dans Une Revue Microelectronics Reliability Année : 2004

Hot carrier aging degradation phenomena in GaN based MESFETs

, , , , (1) , , ,

1

F. Rampazzo

Fonction : Auteur

G. Pierobon

Fonction : Auteur

D. Pacetta

Fonction : Auteur

Christophe Gaquière

Fonction : Auteur
PersonId : 746853
IdHAL : christophe-gaquiere
ORCID : 0000-0003-3082-2489
IdRef : 059765615

D. Theron

Fonction : Auteur
PersonId : 171147
IdHAL : didier-theron
ORCID : 0000-0002-3264-6338
IdRef : 059916567

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

B. Boudart

Fonction : Auteur
PersonId : 16148
IdHAL : bertrand-boudart
IdRef : 060260092

G. Meneghesso

Fonction : Auteur

E. Zanoni

Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00154890

Soumis le : vendredi 15 juin 2007-07:46:49

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00154890 , version 1 (15-06-2007)

Identifiants

HAL Id : hal-00154890 , version 1

Citer

F. Rampazzo, G. Pierobon, D. Pacetta, Christophe Gaquière, D. Theron, et al.. Hot carrier aging degradation phenomena in GaN based MESFETs. Microelectronics Reliability, 2004, 44, pp.1375-1380. ⟨hal-00154890⟩

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