Transistors à effet de champ basés sur les filières GaAs et InP pour l'amplification de puissance - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2001

Transistors à effet de champ basés sur les filières GaAs et InP pour l'amplification de puissance

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00152906 , version 1 (08-06-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00152906 , version 1

Citer

Jean-Claude de Jaeger. Transistors à effet de champ basés sur les filières GaAs et InP pour l'amplification de puissance. 8èmes Journées Nationales Microélectronique et Optoélectronique, JNMO 2001, 2001, Aussois, France. ⟨hal-00152906⟩
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