Improvement of conductivity and breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMT structures in passivation experiments - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2003

Improvement of conductivity and breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMT structures in passivation experiments

S. Shapoval
  • Fonction : Auteur
V. Gurtovoi
  • Fonction : Auteur
A. Kovalchuk
  • Fonction : Auteur
L. Eastman
  • Fonction : Auteur
A. Vertjachih
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
D. Theron

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https://hal.science/hal-00149939

Soumis le : mardi 29 mai 2007-09:11:06

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00149939 , version 1 (29-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00149939 , version 1

Citer

S. Shapoval, V. Gurtovoi, A. Kovalchuk, L. Eastman, A. Vertjachih, et al.. Improvement of conductivity and breakdown characteristics of AlGaN/GaN HEMT structures in passivation experiments. 2003, pp.90-93. ⟨hal-00149939⟩

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