Mise en évidence des effets de pièges sur le comportement électrique de transistors HEMT's AlGaN/GaN pour les applications hyperfréquences à haute linéarité - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

Mise en évidence des effets de pièges sur le comportement électrique de transistors HEMT's AlGaN/GaN pour les applications hyperfréquences à haute linéarité

M. Werquin
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Christophe Gaquière
Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
N. Vellas
  • Fonction : Auteur
A. Minko
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
D. Ducatteau
  • Fonction : Auteur
E. Delos
  • Fonction : Auteur
M.A. Poisson
  • Fonction : Auteur
F. Semond
  • Fonction : Auteur
Jean-Claude de Jaeger

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00149739

Soumis le : lundi 28 mai 2007-11:37:13

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00149739 , version 1 (28-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00149739 , version 1

Citer

M. Werquin, Christophe Gaquière, Y. Guhel, N. Vellas, A. Minko, et al.. Mise en évidence des effets de pièges sur le comportement électrique de transistors HEMT's AlGaN/GaN pour les applications hyperfréquences à haute linéarité. GDR Semiconducteurs à large bande interdite, 2002, Montpellier, France. ⟨hal-00149739⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
27 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More