High power performances of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate at F=4 GHz - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

High power performances of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate at F=4 GHz

N. Vellas
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Christophe Gaquière
Y. Guhel
  • Fonction : Auteur
M. Werquin
  • Fonction : Auteur
D. Ducatteau
  • Fonction : Auteur
B. Boudart
Jean-Claude de Jaeger
Z. Bougrioua
Marie Germain
M. Leys
  • Fonction : Auteur
I. Moervan
  • Fonction : Auteur
S. Borghs
  • Fonction : Auteur

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00149700

Soumis le : lundi 28 mai 2007-11:04:14

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00149700 , version 1 (28-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00149700 , version 1

Citer

N. Vellas, Christophe Gaquière, Y. Guhel, M. Werquin, D. Ducatteau, et al.. High power performances of AlGaN/GaN HEMTs on sapphire substrate at F=4 GHz. 2002, 4 pp. ⟨hal-00149700⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
52 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More