High-power AlGaN/GaN HEMTs on resistive silicon substrate

Virginie Hoel; N. Vellas; Christophe Gaquière; Jean-Claude de Jaeger; Y. Cordier; F. Semond; F. Natali; J. Massies

Article Dans Une Revue Electronics Letters Année : 2002

High-power AlGaN/GaN HEMTs on resistive silicon substrate

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Virginie Hoel

Fonction : Auteur
PersonId : 747991
IdHAL : virginie-hoel
ORCID : 0000-0003-4652-4742
IdRef : 121234223

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

N. Vellas

Fonction : Auteur

Christophe Gaquière

Fonction : Auteur
PersonId : 746853
IdHAL : christophe-gaquiere
ORCID : 0000-0003-3082-2489
IdRef : 059765615

Jean-Claude de Jaeger

Fonction : Auteur
PersonId : 747322
IdHAL : jean-claude-dejaeger

Y. Cordier

Fonction : Auteur
PersonId : 750365
IdHAL : yvon-cordier
ORCID : 0000-0003-3720-9409
IdRef : 128170794

F. Semond

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F. Natali

Fonction : Auteur

J. Massies

Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00149694

Soumis le : lundi 28 mai 2007-11:04:01

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00149694 , version 1 (28-05-2007)

Identifiants

HAL Id : hal-00149694 , version 1

Citer

Virginie Hoel, N. Vellas, Christophe Gaquière, Jean-Claude de Jaeger, Y. Cordier, et al.. High-power AlGaN/GaN HEMTs on resistive silicon substrate. Electronics Letters, 2002, 38, pp.750-752. ⟨hal-00149694⟩

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