Silicon nanowires with sub 10 nm lateral dimensions : from AFM lithography based fabrication to electrical measurements - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Journal of Vacuum Science and Technology Année : 2002

Silicon nanowires with sub 10 nm lateral dimensions : from AFM lithography based fabrication to electrical measurements

Bernard Legrand
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
CV
D. Deresmes
CV
D. Stievenard

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Soumis le : mercredi 23 mai 2007-10:44:37

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

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Dates et versions

hal-00148765 , version 1 (23-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00148765 , version 1

Citer

Bernard Legrand, D. Deresmes, D. Stievenard. Silicon nanowires with sub 10 nm lateral dimensions : from AFM lithography based fabrication to electrical measurements. Journal of Vacuum Science and Technology, 2002, 20, pp.862-870. ⟨hal-00148765⟩

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