Some key features of the Ga1-xInxAs surface reactivity to phosphorus - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2002

Some key features of the Ga1-xInxAs surface reactivity to phosphorus

X. Wallart
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
C. Priester
D. Deresmes
CV
F. Mollot

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https://hal.science/hal-00148666

Soumis le : mercredi 23 mai 2007-09:17:50

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00148666 , version 1 (23-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00148666 , version 1

Citer

X. Wallart, C. Priester, D. Deresmes, F. Mollot. Some key features of the Ga1-xInxAs surface reactivity to phosphorus. 2002, pp.107-108. ⟨hal-00148666⟩

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