Electron mobility enhancement in uniaxially strained MOSFETs: Extraction of the effective mass variation - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Electron mobility enhancement in uniaxially strained MOSFETs: Extraction of the effective mass variation

F. Rochette
  • Fonction : Auteur
M. Cassé
Département d'Astrophysique, de physique des Particules, de physique Nucléaire et de l'Instrumentation Associée
M. Mouis
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
D. Blachier
  • Fonction : Auteur
Cédric Leroux
  • Fonction : Auteur
B. Guillaumot
  • Fonction : Auteur
G. Reimbold
  • Fonction : Auteur
F. Boulanger
  • Fonction : Auteur

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00147168

Soumis le : mercredi 16 mai 2007-09:35:20

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:40:12

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00147168 , version 1 (16-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00147168 , version 1

Citer

F. Rochette, M. Cassé, M. Mouis, D. Blachier, Cédric Leroux, et al.. Electron mobility enhancement in uniaxially strained MOSFETs: Extraction of the effective mass variation. 36th European Solid-State Device Research Conference (ESSDERC'06), 2006, Genève, Switzerland. pp.93-96. ⟨hal-00147168⟩

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