Analytical modeling of the two-dimensional potential distribution and threshold voltage of the SOI four-gate transistor - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2006

Analytical modeling of the two-dimensional potential distribution and threshold voltage of the SOI four-gate transistor

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Chahla Domenget  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00145495

Soumis le : jeudi 10 mai 2007-14:51:03

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-18:25:49

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00145495 , version 1 (10-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00145495 , version 1

Citer

K. Akarvardar S. Ccristoloveanu P. Gentil. Analytical modeling of the two-dimensional potential distribution and threshold voltage of the SOI four-gate transistor. IEEE Transactions on Electron Devices, 2006, 53, n± 10, pp.2569-2577. ⟨hal-00145495⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UGA CNRS
12 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More