Characterization of the effective mobility by split C(V) technique in sub 0.1µm Si and SiGe PMOSFETs - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2005

Characterization of the effective mobility by split C(V) technique in sub 0.1µm Si and SiGe PMOSFETs

K. Romanjek
  • Fonction : Auteur
F. Andrieu
  • Fonction : Auteur
T. Ernst
  • Fonction : Auteur
Gérard Ghibaudo
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique
CV

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00145237

Soumis le : mercredi 9 mai 2007-11:51:37

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:27:13

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Dates et versions

hal-00145237 , version 1 (09-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00145237 , version 1

Citer

K. Romanjek, F. Andrieu, T. Ernst, Gérard Ghibaudo. Characterization of the effective mobility by split C(V) technique in sub 0.1µm Si and SiGe PMOSFETs. Solid-State Electronics, 2005, pp.0. ⟨hal-00145237⟩

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