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Article Dans Une Revue Solid-State Electronics Année : 2005

A new memory effect (MSD) in fully depleted SOI MOSFETs

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

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https://hal.science/hal-00145221

Soumis le : mercredi 9 mai 2007-11:09:01

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:26:35

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Dates et versions

hal-00145221 , version 1 (09-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00145221 , version 1

Citer

M. Bawedin S. Cristoloveanu J.G. Yun D. Flandre. A new memory effect (MSD) in fully depleted SOI MOSFETs. Solid-State Electronics, 2005, n± 9, pp.1547-1555. ⟨hal-00145221⟩

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