Possible influence of the Schottky contacts on the characteristics of ultrathin SOI pseudo- MOS transistors - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Transactions on Electron Devices Année : 2005

Possible influence of the Schottky contacts on the characteristics of ultrathin SOI pseudo- MOS transistors

Domaines

Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Chahla Domenget  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00145220

Soumis le : mercredi 9 mai 2007-11:06:24

Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:04:37

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00145220 , version 1 (09-05-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00145220 , version 1

Citer

S. Sato K. Komiya N. Bresson Y. Omura S. Cristoloveanu. Possible influence of the Schottky contacts on the characteristics of ultrathin SOI pseudo- MOS transistors. IEEE Transactions on Electron Devices, 2005, 52, n± 8, pp.1807-1814. ⟨hal-00145220⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

UGA CNRS
15 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More