Analysis of hot carrier aging degradation in GaN MESFETs

R. Pierobon; F. Rampazzo; D. Pacetta; Christophe Gaquière; D. Theron; B. Boudart; G. Meneghesso; E. Zanoni

Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Analysis of hot carrier aging degradation in GaN MESFETs

, , , (1) , , , ,

1

R. Pierobon

Fonction : Auteur

F. Rampazzo

Fonction : Auteur

D. Pacetta

Fonction : Auteur

Christophe Gaquière

Fonction : Auteur
PersonId : 746853
IdHAL : christophe-gaquiere
ORCID : 0000-0003-3082-2489
IdRef : 059765615

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520

D. Theron

Fonction : Auteur
PersonId : 171147
IdHAL : didier-theron
ORCID : 0000-0002-3264-6338
IdRef : 059916567

B. Boudart

Fonction : Auteur
PersonId : 16148
IdHAL : bertrand-boudart
IdRef : 060260092

G. Meneghesso

Fonction : Auteur

E. Zanoni

Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00141969

Soumis le : mardi 17 avril 2007-08:50:48

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Dates et versions

hal-00141969 , version 1 (17-04-2007)

Identifiants

HAL Id : hal-00141969 , version 1

Citer

R. Pierobon, F. Rampazzo, D. Pacetta, Christophe Gaquière, D. Theron, et al.. Analysis of hot carrier aging degradation in GaN MESFETs. 2004, pp.143-146. ⟨hal-00141969⟩

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