Electron-beam-induced reactivation of Si dopants in hydrogenated 2D AlGaAs heterostructures : a possible new route of fabricating III-V nanostructures - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2004

Electron-beam-induced reactivation of Si dopants in hydrogenated 2D AlGaAs heterostructures : a possible new route of fabricating III-V nanostructures

L. Kurowski
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
D. Bernard-Loridant
E. Constant
  • Fonction : Auteur
Didier Decoster

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https://hal.science/hal-00141184

Soumis le : jeudi 12 avril 2007-09:23:57

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00141184 , version 1 (12-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00141184 , version 1

Citer

L. Kurowski, D. Bernard-Loridant, E. Constant, Didier Decoster. Electron-beam-induced reactivation of Si dopants in hydrogenated 2D AlGaAs heterostructures : a possible new route of fabricating III-V nanostructures. 2004, pp.S127-S132. ⟨hal-00141184⟩

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