Article Dans Une Revue
Microelectronic Engineering
Année : 2006
Yannick Champion : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00141081
Soumis le : mercredi 11 avril 2007-13:12:19
Dernière modification le : jeudi 4 avril 2024-21:38:52
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00141081 , version 1
Citer
S. Nishizawa, M. Pons. Numerical modeling of SiC-CVD in a horizontal hot-wall reactor. Microelectronic Engineering, 2006, 83, pp.100-103. ⟨hal-00141081⟩
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