Schottky-barrier source/drain MOSFETs on ultra-thin silicon-on-insulator body with a tungsten metallic midgap gate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2004

Schottky-barrier source/drain MOSFETs on ultra-thin silicon-on-insulator body with a tungsten metallic midgap gate

G. Larrieu
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Emmanuel Dubois
CV

Collection IEMN  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://hal.science/hal-00140981

Soumis le : mercredi 11 avril 2007-10:30:58

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00140981 , version 1 (11-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00140981 , version 1

Citer

G. Larrieu, Emmanuel Dubois. Schottky-barrier source/drain MOSFETs on ultra-thin silicon-on-insulator body with a tungsten metallic midgap gate. IEEE Electron Device Letters, 2004, 25, pp.801-803. ⟨hal-00140981⟩

Exporter

BibTeX XML-TEI Dublin Core DC Terms EndNote DataCite

Collections

CNRS UNIV-VALENCIENNES IEMN UNIV-LILLE
20 Consultations
0 Téléchargements

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More