Ideal subthreshold characteristics of thin-film SOI p-MOSFETs with Schottky source/drain and a midgap tungsten gate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEE Proceedings Microwaves Antennas and Propagation Année : 2004

Ideal subthreshold characteristics of thin-film SOI p-MOSFETs with Schottky source/drain and a midgap tungsten gate

G. Larrieu
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Emmanuel Dubois
CV

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https://hal.science/hal-00140978

Soumis le : mercredi 11 avril 2007-10:30:57

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00140978 , version 1 (11-04-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00140978 , version 1

Citer

G. Larrieu, Emmanuel Dubois. Ideal subthreshold characteristics of thin-film SOI p-MOSFETs with Schottky source/drain and a midgap tungsten gate. IEE Proceedings Microwaves Antennas and Propagation, 2004, 25, pp.801-803. ⟨hal-00140978⟩

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