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Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Enhancement of cutoff frequency in AlGaN/GaN high electron mobility transistors using a silicon nitride based T-gate technology

S. Touati
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Virginie Hoel
A. Soltani
Jean-Claude de Jaeger
M.A. Poisson
  • Fonction : Auteur
S. Delage
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00131349

Soumis le : vendredi 16 février 2007-10:16:42

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00131349 , version 1 (16-02-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00131349 , version 1

Citer

S. Touati, Virginie Hoel, A. Soltani, Jean-Claude de Jaeger, M.A. Poisson, et al.. Enhancement of cutoff frequency in AlGaN/GaN high electron mobility transistors using a silicon nitride based T-gate technology. Proceedings of the 16th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides, Diamond 2005, 2005, Toulouse, France. ⟨hal-00131349⟩

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