Etude du pouvoir thermoélectrique de couches de polysilicium dopées N et P de 20 à 450°C - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00131329 , version 1 (16-02-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00131329 , version 1

Citer

M. Aithammouda, M. Haffar, K. Ziouche, P. Godts, D. Leclercq. Etude du pouvoir thermoélectrique de couches de polysilicium dopées N et P de 20 à 450°C. Actes de MajeSTIC 2005, 2005, Rennes, France. ⟨hal-00131329⟩
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