Output power density of 5.1W/mm at 18 GHz with an AlGaN/GaN HEMT on Si substrate - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue IEEE Electron Device Letters Année : 2006

Output power density of 5.1W/mm at 18 GHz with an AlGaN/GaN HEMT on Si substrate

A. Minko
  • Fonction : Auteur
Virginie Hoel
E. Morvan
  • Fonction : Auteur
E. Delos
  • Fonction : Auteur
B. Grimbert
H. Lareche
  • Fonction : Auteur
P. Bove
  • Fonction : Auteur
Christophe Gaquière
Jean-Claude de Jaeger
S.L. Delage
  • Fonction : Auteur
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00127941 , version 1 (30-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00127941 , version 1

Citer

D. Ducatteau, A. Minko, Virginie Hoel, E. Morvan, E. Delos, et al.. Output power density of 5.1W/mm at 18 GHz with an AlGaN/GaN HEMT on Si substrate. IEEE Electron Device Letters, 2006, 27, pp.7-9. ⟨hal-00127941⟩
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