Réalisation de transistors HEMTs AlInAs/GaInAs de 20nm de longueur de grille - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2005

Réalisation de transistors HEMTs AlInAs/GaInAs de 20nm de longueur de grille

I. Duszynski
  • Fonction : Auteur
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520
Nicolas Wichmann
S. Bollaert
X. Wallart
A. Cappy

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https://hal.science/hal-00126727

Soumis le : vendredi 26 janvier 2007-08:24:47

Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00126727 , version 1 (26-01-2007)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00126727 , version 1

Citer

I. Duszynski, Nicolas Wichmann, S. Bollaert, X. Wallart, A. Cappy. Réalisation de transistors HEMTs AlInAs/GaInAs de 20nm de longueur de grille. Actes des 14èmes Journées Nationales Microondes, 2005, Nantes, France. ⟨hal-00126727⟩

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