Article Dans Une Revue
IEEE Electron Device Letters
Année : 2005
Collection IEMN : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00125132
Soumis le : jeudi 18 janvier 2007-10:11:27
Dernière modification le : mercredi 24 janvier 2024-09:54:18
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00125132 , version 1
Citer
Nicolas Wichmann, I. Duszynski, X. Wallart, S. Bollaert, A. Cappy. 100-nm T-gate In0.53Ga0.47As-In0.52Al0.48As DG-HEMTs with two separate gate controls. IEEE Electron Device Letters, 2005, 26, pp.601-603. ⟨hal-00125132⟩
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