Interaction between low temperature spacers and source drain extensions and pockets for both NMOS and PMOS of the 65 nm node technology - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Communication Dans Un Congrès Année : 2006

Interaction between low temperature spacers and source drain extensions and pockets for both NMOS and PMOS of the 65 nm node technology

N. Cagnat
  • Fonction : Auteur
Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes
C. Laviron
  • Fonction : Auteur
D. Mathiot
  • Fonction : Auteur
Institut d'Electronique du Solide et des Systèmes
Pascal Morin
  • Fonction : Auteur
F. Salvetti
  • Fonction : Auteur
D. Villanueva
  • Fonction : Auteur
M. Juhel
  • Fonction : Auteur
M. Hopstaken
  • Fonction : Auteur
F. Wacquant
  • Fonction : Auteur

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https://hal.science/hal-00089367

Soumis le : vendredi 18 août 2006-08:51:58

Dernière modification le : vendredi 24 mars 2023-14:52:48

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-00089367 , version 1 (18-08-2006)

Identifiants

  • HAL Id : hal-00089367 , version 1

Citer

N. Cagnat, C. Laviron, D. Mathiot, Pascal Morin, F. Salvetti, et al.. Interaction between low temperature spacers and source drain extensions and pockets for both NMOS and PMOS of the 65 nm node technology. Material Research Society (MRS) Spring Meeting, Symposium on Sub-Second Rapid Thermal Processing for Device Fabrication, 2006, San Francisco, France. ⟨hal-00089367⟩

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