High performance InP-based heterostructure barrier varactors in single and stack configuration

Abstract : Single (SHBV) and dual (DHBV) heterostructure barrier varactors with AlAs/In0.52Al0.48As bolocking conductionlayers have been fabricated and characterized. The devices, whose electrical properties scale with layer complexity, exhibit, for a DHBV scheme, leakage currents as low as 10 A/cm² at 12V, a zero bias capacitance of 1 fF/micro m², and capacitance ratio of 5:1.
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Electronics Letters, IET, 1996, 32, pp.1417-1418
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Contributeur : Patrice Salzenstein <>
Soumis le : mercredi 31 mai 2006 - 15:55:04
Dernière modification le : jeudi 18 octobre 2018 - 01:25:06
Document(s) archivé(s) le : vendredi 25 novembre 2016 - 11:04:24

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Eric Lheurette, Patrick Mounaix, Patrice Salzenstein, Francis Mollot, Didier Lippens. High performance InP-based heterostructure barrier varactors in single and stack configuration. Electronics Letters, IET, 1996, 32, pp.1417-1418. 〈hal-00076889〉

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