Article Dans Une Revue
Applied Physics Letters
Année : 2002
Véronique Gysembergh : Connectez-vous pour contacter le contributeur
https://hal.science/hal-00018491
Soumis le : vendredi 3 février 2006-10:46:54
Dernière modification le : vendredi 26 avril 2024-03:29:26
Dates et versions
Identifiants
- HAL Id : hal-00018491 , version 1
Citer
Xavier Wallart, Catherine Priester, D. Deresmes, Thomas Gehin, Francis Mollot. Why do (2x4) GaAs and InAs (001) surfaces exposed to phosphorus have so different strain behavior ?. Applied Physics Letters, 2002, 81, pp.1060-1062. ⟨hal-00018491⟩
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