Electron-impact ionization and energy loss of 27 MeV/u Xe$^{35}$ incident ions channeled in silicon

S. Andriamonje (1) , R. Anne (2) , N.V. De Castro Faria , M. Chevallier (3) , C. Cohen , J. Dural , M.J. Gaillard (4) , R. Genre (4) , M. Hage-Ali (5) , R. Kirsch (4) , A. L'Hoir , B. Farizon-Mazuy (4) , J. Mory , J. Moulin , J.-C. Poizat (4) , Y. Quere , J. Remillieux (4) , Didier Schmaus , M. Toulemonde (6)

1 CENBG - Centre d'Etudes Nucléaires de Bordeaux Gradignan
2 GANIL - Grand Accélérateur National d'Ions Lourds
3 CAS-PHABIO
4 IPNL - Institut de Physique Nucléaire de Lyon
5 IReS - Institut de Recherches Subatomiques
6 CIRIL - Centre Interdisciplinaire de Recherche Ions Lasers

S. Andriamonje, R. Anne, N.V. De Castro Faria, M. Chevallier, C. Cohen, et al.. Electron-impact ionization and energy loss of 27 MeV/u Xe$^{35}$ incident ions channeled in silicon. Physical Review Letters, 1989, 63, pp.1930-1933. ⟨10.1103/PhysRevLett.63.1930⟩. ⟨in2p3-00004207⟩