Room Temperature Terahertz Imaging by a GaAs-HEMT Transistor Associated with a THz Time Domain Spectrometer - Archive ouverte HAL Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue 2008 33RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED, MILLIMETER AND TERAHERTZ WAVES, VOLS 1 AND 2 Année : 2008

Room Temperature Terahertz Imaging by a GaAs-HEMT Transistor Associated with a THz Time Domain Spectrometer

A El Fatimy
  • Fonction : Auteur
Emmanuel Abraham
Centre de physique moléculaire optique et hertzienne
E Nguema
  • Fonction : Auteur
P Mounaix
  • Fonction : Auteur
Centre de physique moléculaire optique et hertzienne
F Teppe
W Knap
  • Fonction : Auteur
T Otsuji
  • Fonction : Auteur

Résumé

no abstract

Domaines

Physique [physics]

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https://hal.science/hal-01553695

Soumis le : lundi 3 juillet 2017-16:43:38

Dernière modification le : lundi 5 juin 2023-16:52:11

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-01553695 , version 1 (03-07-2017)

Identifiants

  • HAL Id : hal-01553695 , version 1

Citer

A El Fatimy, Emmanuel Abraham, E Nguema, P Mounaix, F Teppe, et al.. Room Temperature Terahertz Imaging by a GaAs-HEMT Transistor Associated with a THz Time Domain Spectrometer. 2008 33RD INTERNATIONAL CONFERENCE ON INFRARED, MILLIMETER AND TERAHERTZ WAVES, VOLS 1 AND 2, 2008, pp.673-674. ⟨hal-01553695⟩

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