Improved GeOI substrates for pMOSFET off-state leakage control
K. Romanjek
,
E. Augendre
,
W. van den Daele
,
B. Grandchamp
(1)
,
L. Sanchez
(2)
,
C. Le Royer
,
J.-M. Hertmann
,
B. Ghyselen
(3)
,
E. Guiot
,
K. Bourdelle
,
S. Cristoloveanu
(4)
,
F. Boulanger
(5)
,
L. Clavelier
(6)
1
IMS -
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système
2 IBDM - Institut de Biologie du Développement de Marseille
3 SOITEC
4 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
5 IAS - Institut d'astrophysique spatiale
6 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
2 IBDM - Institut de Biologie du Développement de Marseille
3 SOITEC
4 IMEP-LAHC - Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation
5 IAS - Institut d'astrophysique spatiale
6 CEA-LETI - Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information
K. Romanjek
- Fonction : Auteur
E. Augendre
- Fonction : Auteur
W. van den Daele
- Fonction : Auteur
C. Le Royer
- Fonction : Auteur
J.-M. Hertmann
- Fonction : Auteur
E. Guiot
- Fonction : Auteur
K. Bourdelle
- Fonction : Auteur
S. Cristoloveanu
- Fonction : Auteur
- PersonId : 172108
- IdHAL : sorin-cristoloveanu
- ORCID : 0000-0002-3576-5586
- IdRef : 030493188